반도체 8대 공정, 증착 공정과 금속 배선 공정의 박막 증착 장비 차이점

[ 반도체 박막 증착 장비 ]

 

다음글에서는 반도체 8대 공정 중 증착 공정과 금속 배선 공정의 박막 증착 장비 차이점에 대해서 알아보고자 합니다. 상세내용으로 증착 공정에 사용되는 증착 장비, 금속 배선 공정에 사용되는 증착 장비, 차이점에 대해서 살펴봅니다.

 

목차

1. 증착 공정에 사용되는 증착 장비

2. 금속 배선 공정에 사용되는 증착 장비

3. 차이점

 

1. 증착 공정에 사용되는 증착 장비

1) CVD (화학 기상 증착): 가스 상태의 전구체를 반응 챔버 내에서 화학적으로 반응시켜 고체 박막을 기판 위에 형성합니다. 이 방법은 다양한 재료를 증착할 수 있으며, 균일한 박막을 형성할 수 있는 장점이 있습니다.

 

CVD는 절연체, 반도체, 금속 등 다양한 재료의 증착에 널리 사용됩니다.

 

2) PVD (물리적 기상 증착): 타깃 물질을 물리적 방법(예: 스퍼터링)으로 기화시켜 기판 위에 박막을 형성합니다.

 

주로 금속이나 금속 산화물 증착에 사용됩니다.

 

2. 금속 배선 공정에 사용되는 증착 장비

금속 배선 공정에서는 주로 PVD와 CVD 방식이 사용되며, 최근에는 전기화학 증착(Electrochemical Deposition, ECD) 또는 전기도금(Electroplating) 기술도 활용됩니다.

 

PVD와 CVD는 위에서 설명한 바와 같으며, 전기도금은 용액 내 금속 이온을 전기화학적 반응을 통해 기판의 특정 부위에 증착시키는 방법입니다.

 

이 과정은 주로 구리(Cu) 배선의 제조에 사용됩니다.

 

 

3. 차이점

1) 8대 공정 중 증착 공정에 사용되는 박막 증착 장비와 금속 배선 공정에서 사용되는 증착 장비는 기본적인 원리는 유사하나, 사용되는 재료와 목적에 따라 다른 특성을 갖습니다.

 

증착 공정은 반도체 제조 과정에서 매우 중요한 부분으로, 다양한 재료를 기판 위에 균일한 박막 형태로 적층 하는 공정을 말합니다.

 

2) 이 과정에는 주로 두 가지 종류의 증착 기술이 사용됩니다.

 

물리적 기상 증착(Physical Vapor Deposition, PVD)과 화학 기상 증착(Chemical Vapor Deposition, CVD).

 

 

3) 차이점은 주로 적용되는 재료와 증착 목적에 있습니다.

 

일반적인 증착 공정은 다양한 재료의 박막을 형성하는 데 초점을 맞추고 있으며, 금속 배선 공정에서는 전기적 특성을 가진 금속의 박막을 형성하는 데 특화되어 있습니다.

 

금속 배선 공정에서는 구리 배선의 증착에 특히 전기도금 방식이 자주 사용되며, 이는 일반적인 박막 증착 공정에서는 덜 흔합니다. 이러한 방식의 선택은 제조하려는 반도체 소자의 설계와 요구 사항에 따라 달라집니다.

 

 

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