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반도체 8대공정2

반도체 8대 공정, 증착 공정과 금속 배선 공정의 박막 증착 장비 차이점 다음글에서는 반도체 8대 공정 중 증착 공정과 금속 배선 공정의 박막 증착 장비 차이점에 대해서 알아보고자 합니다. 상세내용으로 증착 공정에 사용되는 증착 장비, 금속 배선 공정에 사용되는 증착 장비, 차이점에 대해서 살펴봅니다. 목차1. 증착 공정에 사용되는 증착 장비2. 금속 배선 공정에 사용되는 증착 장비3. 차이점  1. 증착 공정에 사용되는 증착 장비 1) CVD (화학 기상 증착): 가스 상태의 전구체를 반응 챔버 내에서 화학적으로 반응시켜 고체 박막을 기판 위에 형성합니다. 이 방법은 다양한 재료를 증착할 수 있으며, 균일한 박막을 형성할 수 있는 장점이 있습니다.  CVD는 절연체, 반도체, 금속 등 다양한 재료의 증착에 널리 사용됩니다. 2) PVD (물리적 기상 증착): 타깃 물질을 물.. 2024. 4. 13.
반도체 8대 공정 (광리소, 에칭, 이온 주입, 증착, 화학 기계 연마, 금속 배선, 포장, 검사 및 테스트 공정) 반도체 제조 공정은 매우 복잡하며, 수많은 단계를 거치지만, 일반적으로 '8대 공정'으로 요약하여 설명할 수 있습니다. 이 8대 공정은 반도체 칩을 제조하는 데 필수적인 과정들로 구성되어 있으며, 각 공정은 반도체의 성능과 품질에 중요한 역할을 합니다. 다음글에서는 광리소 공정 (Photolithography), 에칭 공정 (Etching), 이온 주입 공정 (Ion Implantation), 증착 공정 (Deposition), 화학 기계 연마 공정 (Chemical Mechanical Polishing, CMP), 금속 배선 공정 (Metallization), 포장 공정 (Packaging), 검사 및 테스트 공정 (Inspection & Testing)에 대해서 알아보도록 하겠습니다. 목차1. 광리소.. 2024. 4. 13.